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日本Pacific Rundum半導(dǎo)體浸硅碳化硅成型體

產(chǎn)品型號(hào)：PARUCOCERAM SI
更新時(shí)間：2026-06-03

簡(jiǎn)要描述：日本Pacific Rundum半導(dǎo)體浸硅碳化硅成型體PARUCOCERAM SI，滲硅碳化硅（浸硅處理）半導(dǎo)體熱處理零部件基材、浸硅碳化硅工業(yè)陶瓷零部件原料。

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產(chǎn)品詳情

品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

品名釋義

PARUCOCERAM SI：滲硅碳化硅（浸硅處理）半導(dǎo)體熱處理零部件基材、浸硅碳化硅工業(yè)陶瓷零部件原料
PARUCOCERAM RE：再結(jié)晶碳化硅工業(yè)陶瓷零部件原料

產(chǎn)品概述

PARUCOCERAM 系列采用高純度碳化硅原料，依托專有工藝可加工制做3 米以上大尺寸、異形復(fù)雜構(gòu)型制品，用作工業(yè)陶瓷零部件基材。全流程自主工廠管控原料至成品生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)高的端的品質(zhì)穩(wěn)定量產(chǎn)。

■ 應(yīng)用領(lǐng)域

● 半導(dǎo)體熱處理用材

● 電子元器件燒結(jié)用承燒板 / 墊板

● 單晶制備零部件基材

● 各類(lèi)耐高溫、耐腐蝕零部件原料

■ 雜質(zhì)含量（加壓分解法 - ICP 原子發(fā)射光譜檢測(cè)，單位：ppm）

| 金屬元素 | 鐵 Fe | 鎳 Ni | 鈉 Na | 鉀 K | 鎂 Mg | 鈣 Ca | 鉻 Cr | 錳 Mn | 鋅 Zn | 銅 Cu | 鈦 Ti | 釩 V | 鋁 Al|| ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- || 含量 | 3|＜2|＜0.5|＜1|＜0.1|5|0.3|＜0.1|＜0.1|＜0.1|＜3|＜3|25|

■ 物理性能參數(shù)表

項(xiàng)目	參數(shù)分項(xiàng)	單位	PARUCOCERAM SI	PARUCOCERAM RE
材質(zhì)組成	—	—	硅 18% + α- 碳化硅 82%	α- 碳化硅＞99.9%
體積密度	—	kg/m3	3.02×103	2.56×103
顯氣孔率	—	%	0	18
最高使用溫度限值	—	℃	1350	1500
彈性模量（楊氏模量）	常溫 RT800℃1200℃	GPa	370360340	200190185
泊松比	常溫 RT	—	0.18	0.21
三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度	常溫 RT800℃1200℃	MPa	250220220	140150160
線膨脹系數(shù)	室溫～700℃700℃~1200℃	1/K	3.4×10??4.3×10??	4.5×10??5.3×10??
導(dǎo)熱系數(shù)	常溫 RT700℃	W/(m·K)	22060	13040
比熱容	常溫 RT700℃	kJ/(kg·K)	0.701.23	0.691.27

廠商信息

日本太平洋倫達(dá)姆株式會(huì)社精細(xì)陶瓷事業(yè)部

備注術(shù)語(yǔ)注解

RT=Room Temperature：常溫（室溫）
Setter：陶瓷燒結(jié)行業(yè)專用「承燒板 / 墊板 / 匣缽墊板」
Pressure-Decomposition Method ICP-AES：加壓消解前處理 + 電感耦合等離子體發(fā)射光譜分析法

日本Pacific Rundum半導(dǎo)體浸硅碳化硅成型體PARUCOCERAM SI，滲硅碳化硅（浸硅處理）半導(dǎo)體熱處理零部件基材、浸硅碳化硅工業(yè)陶瓷零部件原料。

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日本Pacific Rundum半導(dǎo)體浸硅碳化硅成型體

品名釋義

產(chǎn)品概述

■ 應(yīng)用領(lǐng)域

■ 雜質(zhì)含量（加壓分解法 - ICP 原子發(fā)射光譜檢測(cè)，單位：ppm）

■ 物理性能參數(shù)表

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■ 雜質(zhì)含量（加壓分解法 - ICP 原子發(fā)射光譜檢測(cè)，單位：ppm）