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產(chǎn)品型號(hào):SIT-200 / SIT-2008
更新時(shí)間:2026-07-08簡(jiǎn)要描述:Alnair Labs Si/硅晶圓厚度測(cè)量?jī)x 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) SIT-200 / SIT-2008 為非接觸式硅晶圓激光厚度傳感器,可在濕法刻蝕中原位實(shí)時(shí)測(cè)厚,能測(cè)量形貌粗糙的晶圓,完成晶圓厚度監(jiān)測(cè)、刻蝕進(jìn)程管控。主要用于芯片代工、MEMS 器件、半導(dǎo)體材料制造行業(yè),適配晶圓濕法刻蝕、薄片來(lái)料質(zhì)檢、晶圓減薄等半導(dǎo)體制程厚度檢測(cè)。
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子/電池,綜合 |
硅晶圓厚度傳感器 SIT-200 是一款由 Alnair Labs 公司開(kāi)發(fā)的,核心優(yōu)勢(shì)在于能在苛刻的工業(yè)環(huán)境下,對(duì)表面不平整的晶圓進(jìn)行快速、非接觸式的精確測(cè)量。

全光學(xué)、非接觸式硅晶圓厚度傳感器
高動(dòng)態(tài)范圍,可測(cè)量不規(guī)則表面
可在濕法蝕刻過(guò)程中進(jìn)行原位測(cè)量
| 高靈敏度 | 高精度 | 20ms 高速測(cè)量 | 遠(yuǎn)程 |
|---|
系統(tǒng)構(gòu)成
硅晶圓厚度傳感器由精確調(diào)諧的波長(zhǎng)掃描激光光源、聚焦傳感器和光接收器(PD)構(gòu)成。波長(zhǎng)掃描光聚焦在目標(biāo)上,由目標(biāo)表面反射形成的干涉圖案,在通過(guò)傳感器后被光電二極管(PD)檢測(cè)。
規(guī)格
| 項(xiàng)目 | 規(guī)格 |
|---|---|
| 測(cè)量目標(biāo) | 硅晶圓 |
| 光源 | 波長(zhǎng)掃描激光源 (1515 ~ 1585 nm) |
| 測(cè)量厚度范圍 | 10 ~ 500 µm (n=3.5) |
| 光輸出功率 | 0.6 mW,激光等級(jí) 1 |
| 導(dǎo)引光源 | 紅色激光二極管,激光等級(jí) 1M |
| 測(cè)量時(shí)間 | 最短 20 ms |
| 重復(fù)性 | 小于 0.1 µm (3σ) |
| 監(jiān)控輸出 | 干涉信號(hào) (電信號(hào)) |
| PC 接口 | 以太網(wǎng) |
| 電源 | AC 100-240 V (50 / 60 Hz) |
| 外形尺寸 (寬 x 高 x 深) | 364 x 147 x 391 mm |
| 重量 | 9.0 kg |
以上規(guī)格如有變更,恕不另行通知。
應(yīng)用:晶圓厚度監(jiān)測(cè)、濕法蝕刻過(guò)程中的實(shí)時(shí)測(cè)量、光學(xué)傳感器、晶圓。
Alnair Labs Si/硅晶圓厚度測(cè)量?jī)x 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) SIT-200 / SIT-2008 為非接觸式硅晶圓激光厚度傳感器,可在濕法刻蝕中原位實(shí)時(shí)測(cè)厚,能測(cè)量形貌粗糙的晶圓,完成晶圓厚度監(jiān)測(cè)、刻蝕進(jìn)程管控。主要用于芯片代工、MEMS 器件、半導(dǎo)體材料制造行業(yè),適配晶圓濕法刻蝕、薄片來(lái)料質(zhì)檢、晶圓減薄等半導(dǎo)體制程厚度檢測(cè)。
Alnair Labs Si/硅晶圓厚度測(cè)量?jī)x 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) SIT-200 / SIT-2008 為非接觸式硅晶圓激光厚度傳感器,可在濕法刻蝕中原位實(shí)時(shí)測(cè)厚,能測(cè)量形貌粗糙的晶圓,完成晶圓厚度監(jiān)測(cè)、刻蝕進(jìn)程管控。主要用于芯片代工、MEMS 器件、半導(dǎo)體材料制造行業(yè),適配晶圓濕法刻蝕、薄片來(lái)料質(zhì)檢、晶圓減薄等半導(dǎo)體制程厚度檢測(cè)。